STF5NK52ZD

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STF5NK52ZD。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其520V的高耐压和卓越的开关特性，早已成为众多工程师心中可靠高效的代名词。即使它已进入停产状态，其卓越的性能和广泛的应用验证，使其在特定升级、备件和维护市场中依然闪烁着不可替代的价值光芒，是构建稳健电力系统的经典之选。

想象一下，在那些对效率和可靠性有着严苛要求的场景中，STF5NK52ZD正默默发挥着核心作用。无论是工业电源中的PFC（功率因数校正）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关，还是电机驱动、照明镇流器乃至不间断电源（UPS）系统，它都能从容应对。其TO-220FP封装不仅提供了良好的通孔安装便利性，更确保了在高达150°C结温下的稳定散热能力，让您的设备即使在恶劣环境下也能持续稳定运行，大幅延长产品生命周期，减少维护成本。

选择STF5NK52ZD，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。其1.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则带来了更快的开关速度和更低的开关损耗，整体效率提升显而易见。对于正在进行产品维护、升级或寻找经典替代方案的您而言，这颗芯片代表的不仅是参数，更是一套成熟、可靠的系统级解决方案。我们推荐的ST代理商渠道，能为您提供可靠的货源与专业的技术支持，确保您能继续从这款经典器件中获益，让您的设计在性能与成本之间找到最佳平衡点，持续赢得市场信任。

• 型号:STF5NK52ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5NK52ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。