STF60N55F3

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款功率开关器件，能在高频率下依然保持冷静，将每一份电能都高效地转化为动力，那将为您的产品带来怎样的性能飞跃与竞争优势？现在，答案就在STF60N55F3。

这款来自意法半导体STripFET III家族的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛挑战而生。它拥有高达42A的连续漏极电流承载能力和55V的漏源电压，为您的设计提供了坚实的功率基础。而其最闪耀的亮点，在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅8.5毫欧的最大值，这意味着在导通状态下，电流流过时产生的热量被大幅削减，系统效率得以显著提升。更低的损耗直接转化为更少的发热，让您的设备运行更稳定，寿命更长久，甚至在散热设计上也能更加从容，节省空间与成本。

无论是工业自动化中驱动伺服电机精准运转，还是通信电源里实现高效DC-DC转换，亦或是电动工具需要爆发强劲扭矩，STF60N55F3都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，这对于提升开关频率、减小磁性元件体积、进而实现整个电源系统的小型化至关重要。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它适应从寒冷户外到高温机箱内各种环境的卓越可靠性。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，获取专业的选型指导。

选择STF60N55F3，您选择的不仅仅是一颗高性能的MOSFET，更是一份对能效极致的承诺，一个让产品脱颖而出的关键。它帮助您轻松驾驭功率，将复杂的能量控制变得高效而简单，最终为用户带来更强劲、更持久、更可靠的使用体验。立即将它纳入您的设计，开启能效新纪元。

• 型号:STF60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF60N55F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。