STF6N62K3

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？现在，一颗集卓越性能与坚固耐用于一身的功率器件，将彻底改变您的设计体验。这就是来自ST意法半导体的STF6N62K3，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗芯片能够轻松应对高达620V的电压挑战，同时保持极低的导通损耗。这正是STF6N62K3的过人之处。它采用了先进的SuperMESH3技术，将1.28欧姆的低导通电阻与仅34nC的低栅极电荷完美结合，这意味着更快的开关速度、更低的发热量以及前所未有的整体效率提升。无论是面对频繁启停的工业电机，还是要求严苛的服务器电源，它都能游刃有余，确保系统在高效与稳定之间找到最佳平衡点。

当您的应用场景扩展到家用电器、消费类电源适配器或LED驱动时，STF6N62K3的价值将更加凸显。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，确保在高达150°C的结温下稳定工作，其通孔安装方式也带来了无可比拟的机械坚固性和焊接可靠性。这意味着您的产品能够在各种复杂环境下长期稳定运行，大幅降低现场故障率，从而赢得终端用户的持久信赖。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的品质承诺。

那么，在众多功率器件中，为何最终锁定STF6N62K3？答案在于它带来的综合价值远超一个单一的组件。它简化了您的热管理设计，降低了散热成本；它提升了系统能效，帮助您的产品轻松满足甚至超越各类能效标准；更重要的是，它源自行业巨头ST意法半导体，拥有全球一致的高品质保障。如果您正在寻找可靠的原厂供应与技术支持，我们的ST授权代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全程服务。选择STF6N62K3，不仅是选择了一个顶级元器件，更是选择了一个能助力您产品成功、赢得市场的战略伙伴。

• 型号:STF6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.28 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。