STF6NM60N

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和电磁干扰问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STF6NM60N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的强大基因，将600V的耐压能力与出色的动态特性融为一体，为您带来前所未有的性能飞跃。它不仅意味着更低的导通电阻和更快的开关速度，更代表着系统整体效率的显著提升和热管理的极大简化，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业电源、照明驱动，还是家用电器中的辅助电源模块，STF6NM60N都能游刃有余。它那高达4.6A的连续漏极电流和仅920毫欧的导通电阻，确保了在严苛负载下依然稳定输出，大幅减少能量损耗。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动设计更为简单，有效降低了开关噪声，让您的EMC设计事半功倍。选择它，就是为您的反激式、正激式或PFC电路注入一颗强劲而安静的心脏。

为何众多资深工程师在关键设计中持续信赖STF6NM60N？答案在于其无与伦比的性价比与长期可靠性。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它能从容应对各种环境挑战。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和庞大的市场存量，使其依然是许多经典方案和持续生产项目的优选。为确保您能稳定获取这颗优质芯片，我们推荐您通过专业的ST芯片代理进行采购，他们能为您提供可靠的货源和全面的技术支持，让您的创新之旅毫无后顾之忧。

• 型号:STF6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。