STF7LN80K5

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高可靠性与低损耗难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STF7LN80K5。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和5A的连续漏极电流，为您的设计注入强大而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是提升整机效率、确保长期可靠运行的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STF7LN80K5能够轻松应对严苛的高压环境。其采用的先进MDmesh技术，显著优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，在10V驱动电压下，导通电阻低至1.15欧姆，而栅极电荷仅为12nC。这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对频繁启停的工业场景，还是要求静默高效的消费类电源，它都能游刃有余，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

选择STF7LN80K5，就是选择了一份经得起考验的承诺。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，其工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定工作。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗芯片承载的不仅是ST领先的半导体工艺，更是对您项目成功的一份坚实保障。让它成为您下一个明星产品的“心脏”，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STF7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。