STF7N52DK3

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，让我们为您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STF7N52DK3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的525V高耐压和6A的连续电流能力，为您的高压应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、降低能耗、实现设计精简化的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，一颗性能卓越的开关器件意味着什么？意味着更低的导通损耗，意味着更快的开关速度，最终转化为整机效率的显著提升和温升的有效控制。STF7N52DK3正是为此而生。它采用先进的SuperFREDmesh3技术，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至1.15欧姆，这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减。同时，其栅极电荷（Qg）仅为33nC，确保了快速、干净的开关切换，有效减少了开关损耗，让您的电源设计在高频下也能游刃有余，轻松应对工业电源、家用电器、LED照明驱动等严苛场景。

选择STF7N52DK3，就是选择了一份安心与高效。其高达150°C的结温（TJ）和25W的功率耗散能力，赋予了产品出色的热稳定性和鲁棒性，即使在恶劣的工作环境下也能稳定运行。经典的TO-220FP封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，您依然可以获取可靠的库存或替代方案支持，确保您的生产与研发计划不受影响。这颗芯片承载的不仅是ST领先的半导体技术，更是对高性能、高可靠性不懈追求的承诺，是您打造下一代高效能电力电子产品的理想基石。

• 型号:STF7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N52DK3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。