STF7N52K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与体积所困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭525V高压、同时将导通损耗降至极致的功率开关，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？答案就在STF7N52K3之中。这款源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的高压开关应用而生，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统效率、赢得市场竞争力的关键钥匙。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率LED照明和充电桩，STF7N52K3都能大显身手。其高达525V的漏源电压和6A的连续电流能力，为系统提供了坚固可靠的功率处理核心。在频繁开关的工况下，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效表现脱颖而出。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，选择一家资深的ST一级代理至关重要，他们能确保您获得正品货源与专业的应用支持。

为何众多工程师在面临高压选型时会青睐STF7N52K3？其核心魅力在于SuperMESH3技术带来的卓越平衡。在导通电阻（Rds(on)）与开关性能之间取得了完美权衡，850毫欧的优异导通阻抗直接转化为更低的热损耗和更高的可靠性，允许器件在高达150°C的结温下稳定工作。TO-220FP封装不仅提供了出色的散热能力，也兼顾了安装的便利性。选择它，就是选择了一份经过市场验证的稳定与高效，让您的产品设计在性能与成本之间找到最佳支点，从容应对未来的挑战。

• 型号:STF7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。