STF7N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高耐压、低导通电阻和出色开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STF7N60M2。这款来自ST意法半导体的明星产品，正是为应对严苛的工业与消费类应用挑战而生，其核心的MDmesh II Plus技术，意味着它生而不凡。

无论是需要稳定可靠输出的开关电源（SMPS），还是对效率极为敏感的LED照明驱动，亦或是各类电机控制与功率转换模块，STF7N60M2都能游刃有余。它那高达600V的漏源电压，为您构筑了坚固的安全防线，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而5A的连续漏极电流能力，则确保了在主流功率段内持续稳定的能量输送。更重要的是，其极低的栅极电荷和输入电容，使得开关过程迅捷而平滑，显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率跃升一个新台阶，发热更少，运行更冷静。

选择STF7N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它不仅仅是一个参数优秀的半导体器件，更是ST深厚技术底蕴的结晶。其TO-220FP封装在提供优异散热性能的同时，也兼顾了生产的便利性。当您致力于打造更具市场竞争力的产品时，这颗芯片带来的价值远超其本身它意味着更长的使用寿命、更低的系统总成本以及更快的上市时间。如需获取官方正品与技术支援，请务必通过授权的ST代理进行采购，为您的创新之旅保驾护航。

• 型号:STF7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。