STF7N90K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要应对900V的严峻考验，同时还要兼顾效率与温升时，选择一款真正出色的功率MOSFET，往往成为项目成功的关键。今天，我们为您带来的STF7N90K5，正是意法半导体MDmesh K5系列中的一颗明星产品，它不仅仅是一个开关，更是您实现高效、紧凑、可靠电源方案的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要长时间稳定运行，任何器件的微小损耗累积起来都可能成为效率的“隐形杀手”。STF7N90K5凭借其900V的超高漏源电压耐受能力和优化的动态特性，能够从容应对电压尖峰和浪涌冲击，为您的系统筑起一道坚固的安全防线。其TO-220FP封装在保证出色散热能力的同时，也为您的PCB布局提供了更大的灵活性，让高功率密度设计不再遥不可及。

那么，在众多同类产品中，为何要坚定地选择STF7N90K5？答案在于它背后强大的MDmesh K5技术基因。这项技术革命性地降低了导通电阻与栅极电荷的乘积，这意味着在相同的开关频率下，它能实现更低的导通损耗和开关损耗，直接将电能更高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。高达7A的连续漏极电流承载能力和110W的功率耗散上限，确保了它在重载工况下依然游刃有余，工作温度范围宽达-55°C至150°C，足以适应从严寒到酷热的各类极端环境。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STF7N90K5，就是选择了一份由尖端技术和全球服务网络共同保障的卓越与安心，让它成为您下一代高性能电源设计中无可争议的核心动力。

• 型号:STF7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。