STF7N95K3

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持高效低损耗的“心脏”而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STF7N95K3。这颗采用先进技术的N沟道MOSFET，不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、保障长期稳定运行的强大引擎。它专为应对最棘手的电压环境而生，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、大功率LED照明或是高要求的充电桩设计中，STF7N95K3正发挥着核心作用。其高达950V的漏源击穿电压，为系统提供了充裕的安全裕量，轻松抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰，确保设备在复杂工况下安然无恙。同时，7.2A的连续电流承载能力，配合优化的TO-220FP封装，确保了出色的散热性能和功率处理能力，让您的设备即使在满负荷运行时也能保持“冷静”，大幅延长使用寿命。选择它，就是为您的关键应用上了一道最可靠的保险。

那么，在众多高压MOSFET中，为何STF7N95K3值得您优先考虑？其核心魅力在于SuperMESH3技术带来的卓越性能平衡。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。而优化的栅极电荷（Qg）特性，则让开关过程更快、更干净，显著降低了开关损耗和驱动电路的负担，让您的电源设计在追求高频高效的道路上更加游刃有余。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是赋予了它无与伦比的环境适应性。无论是追求极致能效的尖端产品，还是要求皮实耐用的工业设备，它都能完美胜任。如需获取官方技术支持和现货供应，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时为您服务，确保您从研发到量产的全程无忧。

• 型号:STF7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7N95K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。