STF7NM80

当您设计的电源系统需要在高压环境下保持高效与稳定时，您是否曾为功率器件的损耗和温升问题而困扰？现在，一个卓越的解决方案已经到来STF7NM80。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和6.5A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚固而高效的防线。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现设计精简化的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STF7NM80正在核心位置高效运作。得益于其先进的MDmesh技术，它在高电压下实现了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着更少的能量以热量的形式被浪费。无论是工业照明驱动、家用电器电源，还是不断电系统（UPS），这颗芯片都能让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更高的转换效率和更可靠的长期运行表现脱颖而出。选择它，就是为您的终端产品注入了持久耐用的生命力。

为什么众多工程师信赖并选择STF7NM80？答案在于它带来的综合价值。它拥有高达25W的功率耗散能力，配合TO-220FP封装，散热表现优异，让您的热管理设计更加从容。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这直接提升了系统的整体频率响应和动态性能。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以信赖专业的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STF7NM80，不仅是选择了一颗高性能的芯片，更是选择了一个能助您项目成功、产品领先的强力伙伴。

• 型号:STF7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF7NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。