STF80N10F7

当您设计的电源系统需要同时兼顾高效率与紧凑空间时，您是否曾为寻找那颗性能与可靠性兼备的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STF80N10F7。这款N沟道功率MOSFET，以其卓越的100V耐压和高达40A的连续漏极电流能力，为您的高功率密度应用注入澎湃动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，STF80N10F7正发挥着核心作用。它基于先进的STripFET VII和DeepGATE技术打造，其最大导通电阻低至惊人的10毫欧（在10V驱动下）。这意味着在频繁开关和大电流通过时，由导通损耗产生的热量被大幅削减，系统整体效率显著提升，温升更低，运行更稳定。无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致静音的消费类产品，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作。

选择STF80N10F7，就是选择了一份经市场验证的卓越与安心。它采用经典的TO-220FP封装，在提供强大散热能力的同时，也兼顾了安装的便利性与设计的灵活性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。对于正在寻找可靠、高性能MOSFET解决方案的工程师而言，它代表着一个经过时间淬炼的优质选项。如果您需要获取相关的技术支持和库存信息，可以随时咨询我们的ST中国代理团队，他们将为您提供专业的服务。让STF80N10F7成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STF80N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF80N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。