STF8N65M5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STF8N65M5之中。

这款来自意法半导体MDmesh V系列的王牌产品，天生就是为高效能量转换而设计的。其650V的超高漏源击穿电压，为您构筑了坚实可靠的安全防线，轻松应对电网波动和复杂的电磁环境。而仅600毫欧的超低导通电阻（在3.5A，10V条件下），意味着在电流通过时产生的热量被大幅削减，直接转化为更低的功率损耗和更高的整体效率。这不仅让您的设备运行更“冷静”，更能显著延长其使用寿命，将价值直接体现在产品的稳定性和用户的满意度上。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和照明镇流器，STF8N65M5都能游刃有余。它卓越的开关特性，得益于仅15nC的低栅极电荷，让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用，帮助您实现电源模块的小型化和轻量化。TO-220FP封装提供了优异的散热能力，确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，赋予您的设计更大的功率裕量和可靠性保障。选择它，就是选择了一份从容应对严苛工作环境的自信。

为何众多领先企业都信赖这款芯片？因为它不仅仅是一个组件，更是一个提升产品竞争力的完整解决方案。从卓越的电气参数到坚固的物理封装，每一个细节都旨在为您降低系统复杂度、节省散热成本并提升功率密度。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的官方ST代理网络随时准备为您服务，确保您从研发到量产的每一步都顺畅无阻。立即采用STF8N65M5，让它成为您下一代高效、紧凑、可靠电源设计的核心驱动力，开启能效新纪元。

• 型号:STF8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。