STF9N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计竞赛中，您是否还在为如何平衡高压、低损耗与系统成本而绞尽脑汁？答案或许就藏在STF9N80K5这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，以其高达800V的漏源电压和仅为900毫欧的超低导通电阻，为您打开一扇通往高效能、高可靠性设计的大门。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源等严苛的应用场景中，系统需要稳定应对高压冲击，同时还要将能量损耗降到最低。STF9N80K5正是为此而生。它源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh产品系列，这项先进技术通过优化单元结构和工艺，在相同的芯片面积内实现了更低的导通电阻和更优的开关特性。这意味着，在您的电源模块或电机控制器中，它能显著减少导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而不是白白浪费为热量。这不仅直接提升了整机效率，还降低了对散热系统的要求，让您的产品设计更紧凑，运行更安静，寿命也更长久。

选择STF9N80K5，就是选择了一份从容与安心。它高达7A的连续漏极电流承载能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了其在各种复杂环境和负载波动下都能稳定工作，极大增强了终端产品的环境适应性和耐用性。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得驱动电路设计更为简单高效，有助于降低开关损耗，提升系统整体频率响应。无论您是资深工程师还是正在寻找可靠方案的决策者，这颗芯片都能以出色的性能价格比，帮助您缩短开发周期，加速产品上市。如果您正在寻找值得信赖的供应伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:STF9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。