STF9NK90Z

当您需要一款能够在严苛环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的芯片而反复权衡？今天，我们为您带来一个卓越的答案STF9NK90Z。它不仅仅是一个参数列表，更是意法半导体SuperMESH技术家族中的一颗明星，专为应对高电压挑战而生，旨在将您的电源设计提升到一个全新的高度。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路甚至是不间断电源（UPS）系统中，稳定与效率是生命线。STF9NK90Z凭借其高达900V的漏源电压和8A的连续漏极电流，为您构建起坚固的电气屏障，轻松抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰。其核心的SuperMESH技术，意味着更低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗。在您的系统中，这意味着更少的能量以热量的形式浪费掉，更高的整体能效，以及更凉爽、更紧凑的散热设计，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STF9NK90Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从寒带到热带，从室内到户外的全天候可靠性。经典的TO-220FP封装不仅提供了优异的功率耗散能力（高达40W），也兼顾了生产的便利性与成本效益。当您致力于打造经久耐用、性能卓越的终端产品时，这颗芯片就是您值得信赖的伙伴。为了确保您获得正品保障与完善的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购，这将是您项目成功的重要一环。

归根结底，在功率电子领域，细节决定成败。STF9NK90Z以其平衡而强大的性能参数，为您解决了高电压应用中的核心痛点。它让您的设计不再为潜在的过压风险而妥协，让系统效率的提升变得清晰可量化。无论是升级现有方案，还是开创全新的产品，让STF9NK90Z成为您电路板上的能量中枢，驱动您的创意，点亮更高效、更可靠的未来。

• 型号:STF9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。