STF9NM50N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率器件而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF9NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其500V的高耐压和5A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛应用而生的。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STF9NM50N都能轻松驾驭。其MDmesh技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为560毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当它应用于PFC（功率因数校正）电路或电机驱动控制时，高达150°C的结温工作能力和25W的功率耗散，确保了即使在恶劣环境下也能持续输出强劲动力，让您的产品在可靠性和耐用性上脱颖而出。

选择STF9NM50N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和焊接。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定库存和专业的技术支持，确保您的生产计划不受影响，并获取这颗经典芯片带来的持久价值。它是以往成功设计的验证，也是您打造高效、坚固电力系统的智慧之选。

• 型号:STF9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。