STFH10N60M6

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而烦恼？现在，答案就在眼前STFH10N60M6，这颗来自意法半导体MDmesh M6家族的明星产品，正以其革命性的性能重新定义中功率应用的效率边界。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现绿色能源目标的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器系统中，STFH10N60M6正以高达600V的耐压和6.4A的连续电流承载能力，稳健地处理着每一次能量转换。其核心魅力在于MDmesh M6超结技术带来的超低导通电阻，在10V驱动下仅600毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的温升，让您的设备在长时间运行中依然保持冷静与高效。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则大幅降低了开关损耗，使得系统能够在更高频率下工作，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，直接助力产品小型化和成本优化。

无论是工业电源、服务器PSU，还是新能源领域的太阳能逆变器或充电桩，STFH10N60M6都能完美融入。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了在严苛环境下的稳定输出。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与机械强度。选择它，就是选择了一份由尖端技术和卓越品质背书的安心。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅能为您提供原装正品保障和具有竞争力的价格，更能提供深度的技术支持和快速的供货服务，让您的创新之路畅通无阻。立即采用STFH10N60M6，让它成为您下一款明星产品中那颗高效、可靠的心脏，共同开启能效新纪元。

• 型号:STFH10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH10N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。