STFH13N60M2

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否渴望一颗能在高压下稳定输出、同时将损耗降至最低的功率开关？STFH13N60M2正是为此而生。它不仅仅是一个参数表上的MOSFET，更是意法半导体MDmesh技术家族的杰出代表，专为那些对能效和可靠性有极致要求的应用场景而打造。想象一下，在600V的高压平台上，它依然能保持极低的导通电阻，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被高效地输送到负载端，直接为您带来系统整体能效的显著提升和散热设计的简化。

这颗芯片的强大性能，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高效开关电源（SMPS）等关键领域大放异彩。在驱动电机的瞬间，它需要承受巨大的电流冲击和电压应力，STFH13N60M2凭借其高达11A的连续漏极电流和优化的动态特性，确保了驱动的强劲与平稳。在数据中心或医疗设备的不间断电源中，系统的可靠性就是生命线，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，提供了在严苛环境下长期稳定运行的保障。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一位值得信赖的“高效能卫士”。

那么，在众多同类产品中，为何STFH13N60M2能脱颖而出？答案在于其背后MDmesh技术的深厚积淀。这项技术通过创新的垂直结构，在相同的芯片面积内实现了更优的导通电阻与栅极电荷（Qg）的权衡。具体来说，其380毫欧的低导通电阻直接降低了导通损耗，而仅17nC的低栅极电荷则显著减少了开关损耗，这使得它在高频开关应用中也能游刃有余，整体效率更高。此外，其高达25W的功率耗散能力确保了出色的散热性能。对于寻求高性能解决方案的设计师而言，这颗芯片意味着更小的温升、更紧凑的散热设计以及最终产品更强的市场竞争力。如果您正在寻找可靠的供货与技术支援，可以通过专业的ST中国代理获取详细的技术资料和样品支持，让您的产品开发之旅更加顺畅。

• 型号:STFH13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH13N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。