STFI10LN80K5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“全能心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STFI10LN80K5，这颗N沟道功率MOSFET以其800V的卓越耐压能力和仅为630毫欧的超低导通电阻，重新定义了高效能功率转换的标杆。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统能耗的得力伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高要求的照明镇流器中，稳定与高效是生命线。STFI10LN80K5正是为此而生。其MDmesh K5技术平台带来了革命性的低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。在频繁启停的电机控制场景中，它能显著减少热量积累，提升系统响应速度；在严苛的工业环境下，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了极端温度下的稳定运行，让您的设备无惧挑战。

选择STFI10LN80K5，就是选择了一份经市场验证的卓越与安心。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。对于寻求高性价比、高可靠性替代方案或进行经典设计维护的工程师而言，它是不二之选。更重要的是，通过值得信赖的ST中国代理，您可以获得稳定的供货渠道、专业的技术支持与原厂品质保证，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让STFI10LN80K5的强大能量，驱动您的下一个创新飞跃。

• 型号:STFI10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。