STFI10N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您介绍意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STFI10N62K3。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、紧凑、耐用电源系统的坚实基石。其高达620V的漏源电压和8.4A的连续漏极电流，赋予了它从容应对反激式、正激式等主流拓扑的强大底气，让您的设计从一开始就站在了高可靠性的起跑线上。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动、或是高功率LED照明驱动器中，STFI10N62K3正以其卓越的性能默默工作。得益于先进的SuperMESH3技术，它在保持超低栅极电荷（Qg仅42nC）的同时，实现了优异的导通电阻特性。这意味着更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更高的系统整体效率，以及更低的温升。无论面对严苛的工业环境温度（工作结温高达150°C），还是需要长时间满载运行的挑战，这颗芯片都能提供稳定的功率输出，确保您的终端产品性能持久如一，大幅提升市场竞争力。

选择STFI10N62K3，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。其通孔I2PAKFP（TO-281）封装不仅提供了优异的散热能力，也便于在需要高可靠性的场合进行牢固安装。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或备货的绝佳选择。为了确保您能获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购。让这颗凝聚了意法半导体尖端工艺的功率器件，为您的下一个创新设计注入强劲而高效的动力，共同开启能效新篇章。

• 型号:STFI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。