STFI10NK60Z

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STFI10NK60Z。这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，为您的高压开关应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、缩小体积并确保长期稳定运行的战略性选择。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STFI10NK60Z正扮演着核心角色。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下更少的能量以热量形式浪费，直接转化为更高的整体效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。无论是工业变频器、UPS不间断电源，还是高要求的照明镇流器，它都能轻松应对严苛的电气环境，确保功率转换过程精准而高效。

选择STFI10NK60Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。其SuperMESH技术专为优化开关性能而设计，显著降低了栅极电荷和内部电容，这使得驱动更简单、开关速度更快，从而减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。其坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装提供了出色的散热能力和机械强度，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的替代升级方案，为您的现有设计提供持续支持或为新项目汲取成熟技术的精华。让这颗高效能芯片成为您产品在竞争中脱颖而出的秘密武器。

• 型号:STFI10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI10NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。