STFI13N65M2

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STFI13N65M2，这颗源自ST意法半导体MDmesh M2家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统性能瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎，其650V的卓越耐压能力和高达10A的连续漏极电流，为您的设计构筑了坚实的安全与性能基石。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源等严苛的应用场景中，每一次开关动作都关乎系统的整体效率与寿命。STFI13N65M2凭借其仅为430毫欧的超低导通电阻（在5A，10V条件下），能显著减少导通损耗，让能量更高效地传递，而非浪费在发热上。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更安静，同时获得更高的功率密度和更长的使用寿命。其高达150°C的结温工作能力，更是赋予了它在恶劣环境下稳定运行的强大底气。

选择STFI13N65M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与性能保障。其TO-281（I2PAKFP）封装不仅提供了优异的散热特性，也便于生产焊接与维护。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们这样可靠的ST一级代理，您依然可以获得稳定可靠的货源和专业的技术支持，确保您的项目供应链无忧。这颗芯片的价值，在于它能让您的设计从“能用”跃升到“卓越”，以更低的系统总成本，实现更高的能效标准和可靠性目标，是工程师在追求极致性能道路上的理想伙伴。

• 型号:STFI13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。