STFI13NK60Z

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗、热管理和系统稳定性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFI13NK60Z。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和13A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效开关的代名词。即便处于停产状态，其卓越的性能遗产和广泛的市场存量，依然使其在特定升级、备件和维护项目中闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在空调压缩机驱动、工业开关电源或照明镇流器的核心电路中，STFI13NK60Z正稳定工作。它凭借SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅550毫欧），这意味着更低的传导损耗和更少的发热，直接提升了整机效率并简化了散热设计。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速干净的开关特性，既能减少开关损耗，又能降低电磁干扰（EMI），让您的产品轻松满足严苛的能效与安规标准。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是需要高功率密度的电源模块，它都能游刃有余。

选择STFI13NK60Z，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，赋予了它卓越的环境适应性与机械强度，非常适合应用于对长期稳定性要求极高的工业与汽车环境。对于正在寻找可靠备件或进行经典设计升级的您而言，这颗芯片意味着无需重新设计验证的风险，即可延续产品的卓越性能。我们作为值得信赖的ST一级代理，能够为您提供有保障的货源与专业的技术支持，确保您即使面对停产型号，也能获得稳定、可靠的供应链服务，让您的项目无后顾之忧。

• 型号:STFI13NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。