STFI15N60M2-EP

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STFI15N60M2-EP，这颗源自意法半导体MDmesh M2家族的N沟道MOSFET，正是为突破传统性能瓶颈而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、增强产品竞争力的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，稳定与高效是生命线。STFI15N60M2-EP凭借其高达600V的漏源电压和11A的连续漏极电流，为这些严苛应用场景提供了坚实的保障。其卓越的MDmesh M2技术，意味着更低的导通电阻和更优的开关性能，能显著减少能量在传导和切换过程中的损耗，让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是应对频繁启停的工业环境，还是需要长时间稳定供电的通讯设备，它都能游刃有余，将电能精准、高效地转化为动力。

选择STFI15N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其高达150°C的结温工作范围，确保了在极端温度下的稳定运行，大大拓宽了您的产品应用地域和场景。通孔I2PAKFP封装不仅提供了出色的散热能力，也兼顾了安装的牢固性与便利性。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得这颗性能强劲的芯片，更能获得原厂级的技术支持、可靠的供货保障与专业的选型指导。在追求更高功率密度和更佳能效比的今天，让STFI15N60M2-EP成为您设计中那个值得信赖的“强力心脏”，驱动您的创新迈向新的高度。

• 型号:STFI15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。