STFI15N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STFI15N65M5。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V技术家族的杰出代表，专为那些对性能与可靠性有极致要求的应用而生。想象一下，在650V的高压下，它依然能保持稳定的输出，将导通损耗降至最低，让您的系统运行如丝般顺滑，同时将宝贵的能量更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。

这颗芯片的身影，活跃在开关电源（SMPS）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效照明镇流器等关键领域。无论是服务器机房中需要7x24小时稳定运行的电源单元，还是工厂自动化产线上精准控制的电机驱动器，STFI15N65M5都能凭借其卓越的快速开关特性和优异的雪崩耐量，确保系统在面对复杂工况和电压应力时坚如磐石。它让设计工程师能够构建出更紧凑、更高效、更耐用的功率转换平台，从容应对市场对能效日益严苛的法规要求。

选择STFI15N65M5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。其340毫欧的低导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）实现了完美的平衡，这意味着更低的开关损耗和驱动损耗，直接提升了整体能效。通孔I2PAKFP封装提供了出色的散热能力和机械强度，简化了您的PCB布局与热管理设计。虽然该型号已进入停产状态，但对于许多现有成熟设计和备件需求而言，它依然是经过市场验证的可靠之选。为确保您能获得正品供应与专业的技术支持，我们建议您通过值得信赖的ST芯片代理进行采购，为您的产品生命周期保驾护航。

• 型号:STFI15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。