STFI20N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换领域，您是否仍在为高电压、大电流应用中的开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一个划时代的解决方案已经到来STFI20N65M5，这颗来自ST意法半导体的高性能MOSFET，正是为挑战极限而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的堆积。STFI20N65M5凭借其650V的高耐压和18A的连续漏极电流能力，如同一位沉稳的电力卫士，轻松应对高压冲击与持续大电流的考验。其采用的先进MDmesh V技术，将超低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）完美结合，这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，系统整体效率得以显著跃升，让您的设备运行得更冷静、更持久。

选择STFI20N65M5，就是选择了一份卓越的性能承诺。其高达130W的功率耗散能力与150°C的结温，确保了在恶劣环境下依然稳定可靠，极大拓宽了您的设计边界。通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，不仅提供了优异的散热性能，也兼顾了生产的便利性与坚固性。当您需要值得信赖的供应链支持时，遍布全球的ST代理网络将为您提供从技术咨询到稳定供货的全方位服务，让创新之路畅通无阻。这不仅仅是一颗MOSFET的升级，更是您迈向更高能效、更可靠系统设计的战略一步。

• 型号:STFI20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI20N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。