STFI20NK50Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效的功率转换时，您是否曾为寻找一颗兼具高耐压与低损耗的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍意法半导体的高性能解决方案STFI20NK50Z。这颗隶属于SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其卓越的500V漏源电压和高达17A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入澎湃而精准的动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、确保长期可靠性的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源系统中，STFI20NK50Z正发挥着核心作用。其极低的导通电阻（典型值远低于270毫欧）意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多电能被有效转化为您需要的输出，而不是以热量的形式白白浪费。这不仅直接降低了系统的运行温度，提升了整体能效，更意味着您的产品可以设计得更紧凑，散热要求更宽松，从而在激烈的市场竞争中赢得成本和性能的双重优势。选择我们，您就选择了一个值得信赖的ST芯片代理伙伴，我们将为您提供从选型到供应的全程支持。

为何众多工程师在关键设计中信赖STFI20NK50Z？理由清晰而有力。首先，其SuperMESH技术带来了革命性的低栅极电荷（Qg）与低导通电阻（RDS(on)）的优化组合，这使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。其次，高达150°C的结温（TJ）和40W的功率耗散能力，赋予了它出色的热稳定性和鲁棒性，即使在恶劣的工作环境下也能游刃有余。最后，经典的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的工艺兼容性，让您的生产与升级无缝衔接。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其在特定存量项目和备件市场中依然极具价值。选择它，就是为您的产品选择了一份经过时间考验的卓越与安心。

• 型号:STFI20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI20NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。