STFI24NM60N

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为功率器件的损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能显著降低开关损耗、提升系统整体效率的解决方案，将如何为您的产品注入强大竞争力？今天，我们为您带来的STFI24NM60N，正是这样一款能够改写游戏规则的功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、可靠、紧凑型电源设计的得力助手。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这颗芯片天生就为高效而生。其革命性的垂直结构设计，在保持600V高耐压和17A强大电流处理能力的同时，将导通电阻（RDS(on)）降至极低的190毫欧。这意味着在您的大功率开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，导通损耗将被大幅削减，更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，进一步减少了开关过程中的能量损失，让您的系统运行起来既冷静又高效。

无论是工业级变频器、服务器电源，还是新能源领域的充电桩和光伏逆变器，STFI24NM60N都能游刃有余。其坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，提供了优异的散热性能和机械可靠性，确保在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行。当您需要构建一个既要求高功率密度，又必须保证长期稳定性的系统时，选择它就意味着选择了安心。我们专业的ST中国代理团队，随时准备为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，让先进技术触手可及。

在琳琅满目的功率器件中做出选择，理由可以很简单：卓越的性能、可靠的品质以及能够带来的切实价值。STFI24NM60N正是这样一款产品，它承载着意法半导体的尖端工艺，将高效率、低损耗和强鲁棒性融为一体。选择它，不仅是选择了一个顶级的MOSFET，更是选择了一种提升产品能效等级、降低系统总成本、并增强市场信心的战略。立即行动，让这颗强大的“心脏”为您的下一个创新项目注入澎湃而高效的动力。

• 型号:STFI24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI24NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。