STFI6N65K3

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而犹豫？当面对650V高压应用时，一颗兼具低损耗、高可靠性和出色热性能的MOSFET，往往是决定整个系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的杰出代表STFI6N65K3，它正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。

这颗N沟道功率MOSFET的核心魅力，在于其革命性的SuperMESH3技术。它将高达650V的漏源击穿电压与极低的导通电阻（Rds(on)）完美结合，在10V栅极驱动下，仅需1.3欧姆即可顺畅通过2.7A电流。这意味着更少的导通损耗，更低的发热量，直接为您带来系统效率的显著提升和散热设计的简化。其高达30W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了即使在严苛的工作环境下也能稳定运行，为您的产品注入持久的生命力。

无论是开关电源（SMPS）中的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑，还是照明领域的LED驱动、电子镇流器，亦或是工业电机控制、UPS不同断电源系统，STFI6N65K3都能大显身手。它5.4A的连续漏极电流能力，足以应对主流中功率应用的需求；而仅33nC的低栅极电荷（Qg）和880pF的输入电容，则大大降低了开关损耗和驱动电路的负担，让您的系统开关频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而实现更高功率密度和更紧凑的设计。选择它，就是选择了一条通往高效、紧凑、可靠产品设计的捷径。

我们理解，卓越的芯片需要可靠的渠道来支持。通过正规的ST代理获取STFI6N65K3，您获得的不仅是一颗高性能的半导体器件，更是来自意法半导体的品质保证和完整的技术支持。其经典的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，兼顾了优异的散热性能和成熟的焊接工艺，让您的生产组装更加得心应手。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的验证和可能存在的库存或替代方案，对于许多经典产品升级或长期维护项目而言，依然具有不可替代的价值。让STFI6N65K3成为您下一个成功项目的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STFI6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI6N65K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。