STFI7LN80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定与高效时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STFI7LN80K5，这颗源自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品能效、简化设计流程、赢得市场竞争的关键一步。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，稳定的高压切换是核心需求。STFI7LN80K5凭借其高达800V的漏源电压和5A的连续漏极电流，为您构建起坚固的电气屏障，轻松应对浪涌和电压波动。其采用的先进MDmesh技术，意味着更低的导通电阻（典型值仅1.15欧姆@10V驱动），能显著减少开关过程中的功率损耗，将更多电能转化为有效输出，直接帮助您的终端产品实现更低的运行温度和更高的整体效率。这种高效能转换，在追求绿色节能的今天，无疑是产品最有力的价值宣言。

选择STFI7LN80K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然稳定如初，大大提升了系统的耐用性和适用范围。TO-281（I2PAKFP）通孔封装不仅提供了优异的散热性能，也便于在传统PCB板上进行可靠的焊接与安装。虽然该型号已处于停产状态，但通过与可靠的ST一级代理合作，您依然可以获取经过严格质量把控的库存，为您的经典产品或特定项目提供持续、稳定的核心支持。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品注入持久生命力、保障供应链安全的价值投资。

• 型号:STFI7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI7LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。