STFI8N80K5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能在高压环境下稳定输出、同时将损耗降至最低的功率开关？STFI8N80K5正是为此而生。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体SuperMESH5技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压应用而优化。想象一下，在800V的漏源电压下，它依然能保持卓越的导通特性，将导通电阻控制在极低水平，这意味着更少的热量产生、更高的能源转换效率，以及最终产品更长的使用寿命和更稳定的性能表现。

这颗芯片的强大实力，在诸如工业开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、照明镇流器以及各类离线式电源转换器中展现得淋漓尽致。无论是驱动一台高性能的工业设备，还是确保一套关键基础设施的电力供应稳定，STFI8N80K5都能成为您电路中沉默而可靠的基石。其通孔封装（I2PAKFP）提供了坚固的机械结构和出色的散热能力，确保在-55°C到150°C的宽广结温范围内稳定工作，从容应对各种环境挑战。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的耐用保障。

那么，为何在众多选项中对STFI8N80K5情有独钟？答案在于其精准平衡的性能与价值。它拥有6A的连续漏极电流能力和仅为950毫欧的优异导通电阻，配合极低的栅极电荷，共同实现了快速开关与低导通损耗的完美结合，直接助力提升系统整体能效。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和久经考验的可靠性，使其成为特定升级或延续性项目的理想选择。对于正在寻找可靠库存或替代方案的工程师，通过专业的ST中国代理进行咨询，是获取这颗经典器件并获取相关技术支持的明智途径。让STFI8N80K5承载您的设计智慧，将高效与可靠深深烙印在您的下一代产品之中。

• 型号:STFI8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI8N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。