STFU10NK60Z

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与10A电流，却将导通电阻压至极低的功率开关，能为您的产品带来怎样的性能飞跃？答案就在STFU10NK60Z之中。这款来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的高压、高频应用挑战而生，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗的关键引擎。

无论是工业电机驱动中需要稳定可靠的控制核心，还是开关电源(SMPS)里追求极致效率的PFC和DC-DC转换环节，甚至是不断小型化的消费类电子适配器，STFU10NK60Z都能大显身手。其高达600V的漏源电压击穿能力，为您应对电网波动和感性负载关断时的电压尖峰提供了充足的安全裕量。而10A的连续电流处理能力，结合低至750毫欧的导通电阻，意味着在传导过程中更少的热量产生，更高的电能转换效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。

选择STFU10NK60Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它所采用的SuperMESH技术，是意法半导体对低导通电阻与优异开关特性平衡之道的深刻诠释。较低的栅极电荷（48nC）和输入电容，显著降低了驱动损耗，让开关动作更快、更干脆，这对于提升系统工作频率、缩小磁性元件体积至关重要。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，配合TO-220FP封装优秀的散热特性，确保了它在各种环境下的坚固耐用。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST一级代理身份将为您提供从选型到量产的全程保障。让STFU10NK60Z成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的能量控制新篇章。

• 型号:STFU10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU10NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。