STFU13N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个能显著提升系统性能的卓越选择STFU13N60M2。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达600V的漏源电压和TO-220FP封装，为工程师们打开了一扇通往高效、稳定设计的大门。它不仅仅是一个元件，更是您构建下一代电源与电机驱动系统的坚实基石，能够在严苛的工作条件下保持卓越表现，让您的产品在市场中脱颖而出。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至高效照明系统等核心应用场景中，STFU13N60M2正发挥着关键作用。它如同系统内强劲而稳定的心脏，精准控制着能量的流动。无论是应对瞬间的高压冲击，还是需要长时间稳定运行，这颗芯片都能游刃有余，确保您的设备高效、安静且可靠地工作。选择它，意味着为您的应用注入了意法半导体领先的工艺技术与品质保证，我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您能获得正品货源与专业的技术支持。

那么，为何众多领先的设计师都青睐于STFU13N60M2？答案在于它带来的综合价值飞跃。它有效平衡了导通损耗与开关性能，有助于提升整体系统效率，直接转化为更低的运营成本和更环保的产品特性。其坚固的TO-220FP封装提供了出色的散热能力和机械强度，简化了您的热管理设计，延长了产品寿命。更重要的是，依托意法半导体强大的产品生态和持续的技术创新，选择STFU13N60M2就是选择了一条风险更低、开发更快的成功路径。让它成为您下一个明星产品的核心动力，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STFU13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU13N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。