STFU14N80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受800V的高压冲击，同时还要保证高效、稳定的功率切换时，选择一颗怎样的功率MOSFET，往往决定了整个方案的成败。今天，我们为您带来的STFU14N80K5，正是意法半导体MDmesh K5系列中的一颗明星产品，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效、增强可靠性的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些严苛的应用场景中，系统需要长时间稳定运行，对开关损耗和热管理提出了极高的要求。STFU14N80K5凭借其800V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为高压侧开关提供了坚实的保障。其核心价值在于MDmesh K5超结技术的加持，这项技术革命性地优化了单元结构，使得在相同的芯片面积下，导通电阻（Rds(on)）显著降低。这意味着在您的高频开关电路中，导通损耗将大幅减少，更多的电能被高效利用，而不是转化为无谓的热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则进一步减少了开关损耗，让您的系统即使在更高的开关频率下也能游刃有余，轻松实现更高的功率密度和更紧凑的设计。

为什么越来越多的工程师在高压应用中选择信赖STFU14N80K5？答案在于它带来的综合价值远超一个简单的参数表。它不仅仅提供了强大的电气性能，其TO-220FP封装也兼顾了优异的散热能力和通孔安装的便利性，确保功率能够稳定释放，系统温升得到有效控制。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能够适应从寒冷户外到高温机箱内的各种极端环境，可靠性经得起考验。当您选择这颗芯片时，您选择的不仅是意法半导体的尖端技术，更是一份让产品脱颖而出的信心。如果您正在寻找稳定可靠的供应渠道，我们的合作伙伴专业的ST芯片代理，将为您提供从样品到批量的一站式服务与技术支援。让STFU14N80K5成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STFU14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU14N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。