STFU15NM65N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能够显著降低导通电阻、提升开关速度的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力。现在，这一切不再是想象，STFU15NM65N的到来，正是为了解答这一难题。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这颗N沟道MOSFET拥有高达650V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，为高压高功率应用树立了新的标杆。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅需380毫欧，这意味着更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为系统整体效率的跃升和散热设计的简化。无论是工业电机驱动、服务器电源，还是新能源领域的太阳能逆变器或电动汽车充电桩，STFU15NM65N都能游刃有余，确保系统在严苛环境下稳定、高效、持久地运行。

选择STFU15NM65N，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的可靠承诺。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品能效等级、缩短研发周期、降低综合成本的战略伙伴。其优化的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程更加干净利落，进一步减少了开关损耗，尤其适合高频开关电源应用。卓越的热性能（最高结温150°C）和坚固的TO-220FP封装，确保了其在长时间高负荷工作下的可靠性，让您的设计无后顾之忧。当您需要可靠的技术支持和便捷的供应链服务时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位协助。

因此，当您的下一个项目瞄准更高效率、更小体积或更强可靠性时，STFU15NM65N无疑是您功率开关部分的明智之选。让它成为您产品中的“能量心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:STFU15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU15NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。