STFU23N80K5

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？现在，让我们向您介绍一个突破性的解决方案STFU23N80K5。这颗源自ST意法半导体MDmesh K5系列的高性能功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和仅为280毫欧的超低导通电阻，为您重新定义了中高功率应用的效率标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩的核心电路中，STFU23N80K5正以其强悍的性能默默工作。其16A的连续漏极电流承载能力，结合优化的栅极电荷（仅33nC）和输入电容，确保了在高速开关频率下依然拥有极低的开关损耗和出色的驱动效率。这意味着您的系统可以在更宽的负载范围内保持高效运行，减少热量产生，从而简化散热设计，提升整体可靠性，让您的终端产品在严苛的工业环境中也能稳定持久。

选择STFU23N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装便利性和散热性能，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是应对极端工况的信心之源。无论是升级现有设计还是开发新一代高效能产品，它都能让您轻松实现性能飞跃。如需获取官方技术支持和可靠供货渠道，我们推荐您联系授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全程专业服务。立即采用STFU23N80K5，开启您的高效、可靠电力转换新篇章！

• 型号:STFU23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU23N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。