STFU25N60M2-EP

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STFU25N60M2-EP。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和18A的强劲电流承载，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh M2系列尖端技术的结晶，其超低的188毫欧导通电阻，意味着在能量转换的每一个瞬间，都能为您大幅削减导通损耗，将更多电能高效地输送到负载端，而非转化为无谓的热量。

这颗芯片的价值，在纷繁的应用场景中熠熠生辉。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求小型化与高效能的充电桩和UPS系统，STFU25N60M2-EP都能游刃有余。它那高达150°C的结温工作能力，赋予了系统在严苛环境下稳定运行的底气；而优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），则让开关过程更为迅速、干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰，让您的整机设计不仅高效，而且安静、可靠。这意味着更长的设备寿命、更低的运维成本，以及最终用户无可挑剔的体验。

选择STFU25N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其TO-220FP封装在提供出色散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性与空间的节省。从原型设计到批量生产，这颗芯片都能确保性能的高度一致性，助您加速产品上市进程。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST芯片代理将为您提供从技术选型到供货保障的全方位支持。让STFU25N60M2-EP成为您下一代功率解决方案的核心，与我们一同，将高效能的电力，转化为驱动未来的无限可能。

• 型号:STFU25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU25N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。