STFU28N65M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STFU28N65M2之中。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的MDmesh M2技术，为您带来前所未有的效率提升。其650V的漏源电压和20A的连续漏极电流，为各种严苛应用提供了坚实的保障，而低至180毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更清凉的运行温度，让您的系统轻装上阵，性能却更加强劲。

无论是工业电机驱动、服务器电源，还是新能源领域的太阳能逆变器和电动汽车充电桩，STFU28N65M2都能游刃有余。它出色的开关特性，得益于仅35nC的低栅极电荷，能显著降低开关损耗，提升整体频率响应，让您的电源设计在效率和功率密度上实现双重突破。在高温环境下，它依然能稳定工作于-55°C至150°C的结温范围，确保设备在长时间、高负荷运行中的持久耐用。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一位沉默而强大的守护者。

为何众多领先制造商都将信任票投给这款产品？因为它不仅仅是一个参数优秀的组件，更是ST先进工艺与可靠品质的结晶。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，简化了您的生产流程。当您寻求稳定可靠的供应链和技术支持时，通过官方授权的ST代理进行采购，能确保您获得正品保障和专业的售前售后服务。在竞争激烈的市场中，一个正确的元器件选择，往往决定了产品的最终成败。让STFU28N65M2成为您提升产品竞争力、赢得客户信赖的秘密武器，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STFU28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU28N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。