STFU6N65

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要在650V高压下稳定工作，同时兼顾紧凑空间与散热需求时，STFU6N65的出现，正是为破解这一系列挑战而生。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的物理封装，正在重新定义中功率高压应用的标准。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，一颗器件需要同时承担高效能量转换与系统保护的双重职责。STFU6N65正是为此场景量身打造。它高达650V的漏源击穿电压，为您的高压母线提供了充足的安全裕量，有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而4A的连续漏极电流能力，配合仅2.7欧姆的低导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率并简化了散热设计。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，更优化了功率耗散能力，在高达150°C的结温下依然能稳定工作，确保您的产品在严苛环境中持久运行。

选择STFU6N65，就是选择了一份由全球半导体领袖ST意法半导体背书的品质承诺。它不仅仅是一个参数优秀的MOSFET，更是系统级可靠性的基石。其快速的开关特性得益于优化的栅极电荷设计，有助于减少开关损耗，提升高频应用的性能。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能从容应对从工业到消费电子的各种环境挑战。当您需要可靠、高效的功率开关解决方案时，与专业的ST芯片代理合作，获取正品STFU6N65及完整的技术支持，无疑是加速项目成功、打造市场竞争力产品的明智之举。让这颗强大的“能量开关”成为您下一个创新设计的核心动力，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STFU6N65
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:463 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:620mW（Ta），77W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU6N65的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。