STFU8N60DM2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而犹豫？当600V的电压平台和12A的连续电流成为设计基础时，一颗兼具高性能与出色性价比的MOSFET就是您项目成功的关键。今天，我们向您隆重推荐意法半导体MDmesh系列中的明星产品STFU8N60DM2，它将为您的电源转换系统注入强劲而稳定的核心动力。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，系统需要在高电压下快速、高效地切换电流。STFU8N60DM2正是为此而生。它采用先进的MDmesh技术，在600V的漏源电压下，仅需10V的驱动电压即可实现极低的导通电阻（典型值远低于295毫欧），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是面对工业变频器严苛的工况，还是家用电器对效率和体积的双重要求，这颗芯片都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定运行，让您的产品在市场中脱颖而出。

选择STFU8N60DM2，就是选择了一份安心与高效。其极低的栅极电荷（Qg最大值仅20nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件体积得以缩小，从而实现更紧凑、更轻量化的设计。经典的TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的便利性，25W的功率耗散能力足以应对大多数高功率密度场景的挑战。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货支持时，我们的ST芯片代理服务将为您提供从选型到量产的一站式解决方案，助您轻松将这颗高性能芯片的价值转化为产品的核心竞争力。

• 型号:STFU8N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU8N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。