STFW1N105K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而烦恼？现在，让我们为您介绍一个颠覆性的解决方案STFW1N105K3。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，以其1050V的超高耐压和SuperMESH3技术的卓越基因，正重新定义高压开关的性能标准。它不仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在工业电源、UPS不间断电源、电机驱动乃至新能源逆变器等严苛的应用场景中，系统需要稳定应对高达千伏的电压冲击。STFW1N105K3正是为此而生。其ISOWATT-218FX封装提供了出色的电气隔离和散热能力，确保在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，都能保持稳定高效的功率处理。这意味着，无论是面对突发的浪涌电流，还是在长时间高负荷运行下，它都能像磐石一样稳固，为您的核心系统筑起一道可靠的安全屏障，显著提升终端产品的平均无故障时间。

选择STFW1N105K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它所采用的SuperMESH3技术，在导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间取得了精妙的平衡。仅11欧姆的最大导通电阻与13nC的低栅极电荷，共同带来了更低的导通损耗和开关损耗，让您的电源系统效率轻松跃升一个台阶。更低的损耗直接转化为更少的发热，简化了散热设计，让您的产品结构更紧凑，成本更优化。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得正品货源和具有竞争力的价格，更能提供专业的技术支持，帮助您将这颗芯片的潜力发挥到极致。立即采用STFW1N105K3，让它成为您下一代高性能电力电子设备的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STFW1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW1N105K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。