STFW2N105K5

当您需要在高电压环境中实现高效、可靠的功率开关时，是否曾为器件的耐压能力、开关损耗和长期稳定性而困扰？现在，这一切都有了全新的答案。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族中的明星产品STFW2N105K5。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您攻克1050V高压应用壁垒的得力武器，以其卓越的性能和坚固的可靠性，为您的设计注入强大信心。

这颗芯片的核心魅力，在于其无与伦比的耐压与效率平衡。高达1050V的漏源电压，让它在面对工业电源、电机驱动、光伏逆变器等严苛应用时从容不迫，有效抵御电压尖峰带来的风险。同时，其出色的SuperMESH5技术将导通电阻优化至新低，在10V驱动电压下，仅需极低的栅极电荷（10nC）即可快速完成开关动作。这意味着更低的导通损耗和开关损耗，显著提升系统整体能效，让您的产品在能耗和发热控制上脱颖而出。无论是需要长时间连续运行的工业设备，还是对效率锱铢必较的绿色能源系统，它都能确保能量以最顺畅、最经济的方式传递。

想象一下，在紧凑的开关电源模块中，它凭借ISOWATT-218FX封装提供优异的电气隔离和散热性能，确保在高达150°C的结温下稳定工作；在电机控制回路中，其快速的开关特性让驱动响应更为精准迅捷；在照明镇流器或充电桩的功率级，其高耐压特性成为系统安全的第一道坚固防线。它的价值不仅在于参数表上的数字，更在于为您的终端产品带来的可靠性提升、体积缩小和生命周期延长。选择STFW2N105K5，就是选择了一个经过市场验证的高性能解决方案，它能有效降低您的设计复杂度，加速产品上市进程。

为何众多工程师在关键设计中信赖它？因为从选型之初，它就展现了全面优势。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）适应从严寒到酷热的各类环境；2A的连续漏极电流能力满足多数中低功率场景的需求；而优化的动态参数确保了在高速开关下的稳定表现。当您与专业的ST代理商合作时，不仅能获得这颗优质芯片的稳定供应，还能获取深度的技术支持和应用参考，让您的创新之路更加顺畅。立即将STFW2N105K5纳入您的物料清单，体验意法半导体尖端技术为您的功率设计带来的变革性力量，开启高效、可靠、节能的新篇章。

• 型号:STFW2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW2N105K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。