STFW3N150

在追求极致能效与可靠性的高功率应用中，您是否曾为开关损耗、散热设计或系统稳定性而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STFW3N150。这款来自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，以其高达1500V的漏源电压和卓越的开关性能，正在重新定义高压电源转换的效率和可靠性标准。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心电路中，每一次开关动作都意味着能量的转换与损耗。STFW3N150凭借其仅为9欧姆的低导通电阻（在1.3A，10V条件下）和优化的栅极电荷（Qg仅29.3nC），能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更“冷静”，效率更高。其ISOWATT-218FX封装不仅提供了出色的电气隔离性能，更能有效管理高达63W的功率耗散，确保在严苛环境下（工作结温高达150°C）的长期稳定运行。

无论是面对复杂的工业自动化环境，还是要求严苛的新能源发电场景，选择STFW3N150就是选择了一份安心与卓越。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。其2.5A的连续漏极电流能力和宽泛的驱动电压范围，为您的设计提供了充足的灵活性和安全裕度。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。现在就采用STFW3N150，让它成为您下一代高性能电源系统中那颗最值得信赖的“心脏”，驱动您的创新走向更广阔的未来。

• 型号:STFW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW3N150的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。