STFW6N120K3

当您的工业电源或电机驱动项目需要面对1200V高压环境的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗兼具高耐压、低损耗与可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STFW6N120K3。这颗N沟道MOSFET以其卓越的1200V击穿电压和优化的动态特性，专为高效能、高可靠性的应用而生，是您攻克高压难题的得力武器。

想象一下，在工业开关电源(SMPS)的PFC或LLC拓扑中，在变频器、UPS不间断电源乃至电焊机的核心功率单元里，STFW6N120K3都能大显身手。其先进的SuperMESH3技术，在保持超低栅极电荷（Qg仅34nC）的同时，实现了优异的导通电阻特性。这意味着更快的开关速度、更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制。即使在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它也能稳定工作，确保您的设备在极端环境下依然坚如磐石。

选择STFW6N120K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。其ISOWATT-218FX封装不仅提供了出色的电气隔离和散热能力，通孔安装方式也兼顾了传统设计的便利性与牢固性。虽然该型号已进入停产状态，但通过我们这样可靠的ST一级代理，您依然可以获得稳定且有保障的供货渠道，以及专业的技术支持，让您的产品生命周期管理无后顾之忧。这不仅仅是一颗晶体管，更是您构建高效、耐用、具有市场竞争力的电力电子系统的坚实基石。

• 型号:STFW6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW6N120K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。