STGB10H60DF

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们为您介绍一个改变游戏规则的解决方案STGB10H60DF。这款来自意法半导体的600V、20A IGBT，以其卓越的沟槽型场截止技术，将高性能与高可靠性完美融合，为您带来前所未有的设计自由度和系统价值提升。

想象一下，在变频空调、工业电机驱动或不同断电源（UPS）的核心功率模块中，一颗芯片需要同时应对高电压、大电流的严苛考验，同时还要保持快速的开关响应和极低的导通损耗。STGB10H60DF正是为此而生。它1.95V的低饱和压降（Vce(on)）意味着在导通状态下能量损耗更少，更多的电能被高效转化为有用功，而不是以热量的形式白白浪费。其优化的开关特性（83J开启，140J关断）确保了在高频工作条件下依然保持稳定与高效，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STGB10H60DF，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一份长久运行的安心。其高达175°C的结温（TJ）能力和坚固的D2PAK封装，提供了强大的过载和热管理冗余，确保系统在恶劣环境下依然稳定可靠。无论是面对突发的电流脉冲（Icm高达40A），还是复杂的电磁环境，它都能从容应对。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，为您从选型到量产的全流程保驾护航。让STGB10H60DF成为您下一代高效、紧凑、可靠功率设计的核心引擎，共同开启绿色能源应用的新篇章。

• 型号:STGB10H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A
• 功率 - 最大值:115 W
• 开关能量:83J（导通），140J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:57 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns
• 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):107 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• STGB10H60DF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。