STGB14NC60KDT4

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在600V高压、25A电流下稳定工作，同时兼顾高效开关与出色热管理的功率开关解决方案？那么，请将目光聚焦于STGB14NC60KDT4。这款来自意法半导体的明星IGBT，集成了PowerMESH先进技术，不仅拥有高达80W的功率处理能力，更在开关损耗与导通压降之间取得了精妙的平衡。其2.5V的低Vce(on)意味着更低的导通损耗，而优化的开关特性（开启/关断延迟仅22.5ns/116ns）则直接转化为系统整体效率的提升和电磁干扰的降低，让您的电源或电机驱动设计从一开始就站在高起点上。

想象一下，无论是工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器，还是紧凑型焊接设备，STGB14NC60KDT4都能游刃有余地融入其中。它那DPak（TO-263）的表面贴装封装，天生为高功率密度PCB布局而生，在节省宝贵空间的同时，其优异的散热片连接能力确保了在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定运行。当您的设计面临频繁启停、高负载波动的挑战时，其50A的脉冲电流承受能力和仅37ns的快速反向恢复时间，提供了坚实的性能保障，确保系统响应迅速、运行平滑。

选择STGB14NC60KDT4，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一个经过市场验证的可靠伙伴。它源自ST意法半导体的强大技术基因和成熟制造工艺，"有源"的产品状态意味着长期稳定的供应和支持。对于追求品质与供货保障的工程师和采购而言，通过值得信赖的ST一级代理进行采购，不仅能获得正品保证和具有竞争力的价格，更能获得及时的技术支持和供应链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。让STGB14NC60KDT4成为您下一个成功产品的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STGB14NC60KDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 功率 - 最大值:80 W
• 开关能量:82J（导通），155J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:34.4 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:22.5ns/116ns
• 测试条件:390V，7A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):37 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB14NC60KDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。