ST,意法半导体
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STGB19NC60HDT4
  • 制造厂商:ST(中文名:意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 技术参数:IGBT 600V 40A 130W D2PAK
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:STGB19NC60HDT4
  • 制造商:STMicroelectronics,(意法半导体,简称ST)
  • 描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A
  • 功率-最大值:130W
  • 开关能量:85μJ(开),189μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:53nC
  • 25°C时Td(开/关)值:25ns/97ns
  • 测试条件:390V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):31ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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