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STGB19NC60KT4供应商
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STGB19NC60KT4
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:D2PAK
- 技术参数:IGBT 600V 35A 125W D2PAK
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STGB19NC60KT4参数详情:
当您的工业电机驱动或UPS电源系统需要兼顾高效率与可靠性的核心功率器件时,您是否曾为选择而困扰?现在,答案变得清晰STGB19NC60KT4正是为应对此类严苛挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个IGBT,更是意法半导体PowerMESH技术家族的杰出代表,集600V耐压、35A持续电流与高达125W的功率处理能力于一身,为您的高功率密度设计注入强劲而稳定的心脏。
想象一下,在变频器、电焊机或不间断电源(UPS)的核心电路中,能量转换的每一瞬间都至关重要。STGB19NC60KT4凭借其优化的开关特性开启延迟仅30纳秒,关断延迟105纳秒,配合仅2.75V的低饱和压降,能显著降低开关损耗和导通损耗。这意味着您的设备不仅能以更快的速度响应控制指令,更能将更多电能高效地转化为有用功,而非无谓的热量,从而直接提升整机能效,降低散热系统复杂度与长期运行成本。
选择STGB19NC60KT4,就是选择了一份经市场验证的安心。其DPAK(TO-263)表面贴装封装,不仅提供了优异的散热性能和机械强度,便于自动化生产,更能适应-55°C至150°C的广阔结温范围,确保在恶劣环境下依然稳定工作。虽然该型号已进入停产状态,但通过可靠的ST芯片代理渠道,您依然可以获取库存,为现有产品的维护与升级提供关键支持。这颗芯片承载的不仅是参数,更是意法半导体在功率半导体领域深厚的技术积淀,它能帮助您的产品在性能、可靠性与总拥有成本之间找到最佳平衡点,是工程师实现稳健设计的信心之选。
- 型号:STGB19NC60KT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:165J(导通),255J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:55 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
- 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- STGB19NC60KT4的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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