STGB20NB32LZ

当您的下一个电源转换或电机驱动项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一个能兼顾性能与稳定性的核心开关解决方案？答案或许就藏在STGB20NB32LZ这颗强大的IGBT之中。它不仅仅是一个组件，更是您系统高效、稳定运行的基石，源自意法半导体备受赞誉的PowerMESH技术平台，专为应对严苛的工业环境而生。

想象一下，在变频器、UPS不间断电源或电焊机的心脏部位，需要承受频繁的高压开关和电流冲击。STGB20NB32LZ凭借其高达375V的集射极击穿电压和40A的连续集电极电流能力，为这些应用场景提供了坚实的保障。其低至2V的饱和压降（Vce(on)）意味着在导通状态下损耗极低，能将更多电能高效地转化为有用功，而不是浪费在发热上。高达175°C的结温工作能力，赋予了它卓越的热稳定性和环境适应性，即使在高温环境下也能持续可靠工作，大大延长了设备的使用寿命和降低了维护风险。

选择STGB20NB32LZ，就是选择了一份经过市场验证的安心。其标准输入类型和优化的开关特性（开启/延迟时间分别为2.3s/11.5s），让您的驱动电路设计更为简洁，系统响应更加迅速精准。表面贴装型的I2PAK（TO-263）封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和出色的性能记录，使其成为许多经典或长生命周期产品升级与维护的绝佳选择。如需获取库存或寻找可靠的替代支持，可以咨询专业的ST代理，他们能为您提供全面的供应链解决方案和技术服务。让这颗凝聚了ST尖端PowerMESH技术的IGBT，成为您驱动未来、赋能高效的动力核心。

• 型号:STGB20NB32LZ
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:375 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A
• 功率 - 最大值:150 W
• 开关能量:11.8mJ（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:51 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:2.3s/11.5s
• 测试条件:250V，20A，1 千欧，4.5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB20NB32LZ的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。