STGB30H65DFB2

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾期待一颗能同时驾驭高功率与快速响应的“心脏”？答案就在STGB30H65DFB2。这颗来自ST意法半导体的高性能IGBT，以其650V的坚固耐压和高达50A的持续电流能力，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体能效、缩小体积并增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在变频驱动系统中，电机需要平滑、精准且高效地控制。STGB30H65DFB2凭借其沟槽型场截止技术，实现了极低的导通压降（典型值仅2.1V@30A）和快速的开关特性（开关能量总和仅580J）。这意味着更少的能量以热的形式耗散，更高的开关频率成为可能，从而让您的电机运行更安静、响应更迅捷，整体能效显著提升。无论是工业伺服驱动器、空调压缩机，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，它都能游刃有余地应对频繁的功率切换，确保系统在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作。

选择STGB30H65DFB2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其TO-263AA（DPak）表面贴装封装不仅提供了优异的散热性能，还简化了PCB布局和自动化生产。更低的栅极电荷（90nC）减轻了驱动电路的压力，让设计更简洁。当您寻求可靠的原厂品质与及时的技术支持时，与专业的ST芯片代理合作，能确保您快速获得这颗优质芯片，并获取深入的应用指导，从而加速您的产品上市进程，在激烈的市场竞争中抢占先机。

• 型号:STGB30H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:270J（导通），310J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:90 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns
• 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):115 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
• 供应商器件封装:D2PAK-3
• STGB30H65DFB2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。